삼성전자, HBM5 실물 모형 첫 공개… 차세대 기술 선점 선언

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 최고기술책임자(CTO)가 6월 2일 대만에서 열린 정보기술 박람회 컴퓨텍스 전시장에서 8세대 고대역폭 메모리 HBM5에 대해 설명하고 있다. 삼성전자 제공

삼성전자가 6월 2일 대만 타이베이에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’에서 8세대 HBM(고대역폭메모리)인 HBM5의 실물 모형을 처음 공개하며 HBM 기술 선점에 대한 의지를 드러냈다.

삼성전자는 HBM5에 1c(10㎚급 6세대) D램과 2㎚ 공정, 핵심 열 관리 기술 ‘HPB(Heat Path Block)’를 적용할 계획이다. HPB는 반도체 칩 조각인 다이(Die)와 다이 사이 물리적 표면에서 발생하는 열을 효율적으로 분산하고 방출하는 기술이다. 인공지능(AI) 메모리 성능을 높이는 과정에서 발생하는 발열 문제를 해결한다.

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO)는 “고객이 요구하는 메모리 대역폭을 최고로 높이다 보면 베이스 다이 특정 영역에 발열 문제가 생길 수 있는데 여기에 일종의 굴뚝 같은 구조를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높였다”고 설명했다. 이어 “HPB 기술은 코어 다이 옆에 굴뚝 같은 구조를 추가하는 원리라 베이스 다이 전체를 최적화해야 하고, 이런 측면에서 종합 반도체 회사인 삼성전자가 잘할 수 있다”고 강조했다.

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