SK하이닉스가 세계 최초로 현존 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량을 구현한 ‘12단 적층 HBM3E’ 신제품 양산에 돌입했다. 신제품은 연내 고객사에 공급할 예정이다. HBM3E 12단은 엔비디아에 가장 먼저 공급할 것으로 전망된다. 올해 3월 HBM3E 8단 제품을 납품한지 6개월 만에 다시 한번 기술력을 증명했단 분석이다. HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다.
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SK하이닉스는 이번 제품이 AI 메모리에 필요한 속도와 용량, 안정성 등 모든 부문에서 업계 최고 수준을 충족했다고 설명했다. 용량은 기존 8단 HBM3E의 용량 24GB에서 36GB로 증가했다. 두께는 8단 제품과 동일하지만, 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘릴 수 있었다. 얇은 칩을 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 자사 핵심 기술인 ‘어드밴스드 MR-MUF(쌓은 칩 사이에 액체 보호재 주입 공법)’ 공정으로 휨 현상을 제어해 방열 성능을 10% 높였다고 한다. 동작 속도도 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이번 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽처리장치(GPU)로 거대언어모델(LLM)인 ‘라마 3 70B’ 구동 시, 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.
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SK하이닉스 관계자는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한 데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해 온 유일한 기업”이라며 “높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공했다”고 했다. 김주선 SK하이닉스 사장은 “앞으로도 AI시대 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 ‘글로벌 1위 AI 메모리 기업’으로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.